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(1)、可对C(6)-Fm(100)(次ppm~100%)进行无损定性、定量分析；
(2)、采用专利WAG(Wide Angle Geometry)技术，配备8个二次靶；
(3)、8款管滤光片，更快更精确的测定微量及痕量元素；
(4)、标准配置硅漂移探测器SDD，适于高和低原子序数的元素分析检测；
(5)、针对轻原子序数元素，可配备分辨率达123eV的SDD LE探测器；
(6)、外型坚固耐用，适于移动实验室，符合冲击试验MIL810E规格；
(7)、检测光斑可变，适于不同尺寸和形状的样品检测；
(8)、配备集成电脑、专业nEXt™分析软件，操作方便；
二、二次靶激发技术介绍
二次靶激发技术能最大程度的去除散射背景，提高信噪比，降低检测器的检测限。如图，样品为含少量Cr，Mn，Fe杂质的Ni合金。当直接激发时(绿)，杂质元素的吸收信号被Ni元素的吸收信号淹没；相反，使用Ni二次靶激发时，杂质元素的吸收信号被大大加强。
三、主要技术参数
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系统规格 |
SDD 版本 |
SDD LE |
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测量范围 |
F(9) - Fm(100) |
C(6) - Fm(100) |
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测量浓度 |
次 ppm -100% |
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X-射线管靶材 |
Rh靶 |
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X-射线管电压/功率 |
50kV, 50W |
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激发类型 |
直接激发和二次靶激发 |
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探测器 |
硅漂移探测器SDD |
超级 SDD |
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分辨率(FWHM) |
129eV ± 5eV |
123eV ± 5eV |
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自动进样器 |
8位 |
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工作环境 |
空气/真空/氦气 |
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管滤光片 |
8款软件可选 |
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二次靶 |
8种 |
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操作软件 |
nEXt™分析包(包含基础基本参数法) |
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选配件 |
16位自动进样器、专业基本参数法、真空泵、氦气净化器等 |
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